Ji-Xin Cheng, giáo sư hóa học và kỹ thuật y sinh tại PU, là người đề ra phương pháp hấp thụ tạm thời này. Phương pháp này sử dụng hai tia laser để dò ra các tạp chất kim loại trong các ống nano. Tia laser đầu tiên được sử dụng để kích hoạt các ống nano, đưa chúng từ trạng thái nền thành trạng thái bị kích thích. Tiếp theo, một tia laser dò được sử dụng để dò ra các ống kim loại bị kích thích. Do những cấu trúc này cực nhỏ, dày khoảng 10 nguyên tử hydro hoặc 1 nano met, nên chúng không thể quan sát được dưới kính hiển vi ánh sáng và thường rất khó có thể thao tác với chúng.

Nhóm nghiên cứu cho biết, những ống nano này có thể được quan sát bằng kính hiển vi lực nguyên tử, nhưng việc quan sát này chỉ cho biết về hình thái học và các đặc điểm bề mặt, chứ không phải trạng thái kim loại của ống nano. Hệ chụp hình mới của nhóm sử dụng một laser xung để làm lắng năng lượng tới ống nano, chuyển hóa chúng từ trạng thái nền thành trạng thái bị kích hoạt. Sau đó, một tia laser được gọi là laser dò sẽ cảm ứng các ống nano bị kích hoạt và cho biết mức độ tương phản giữa các ống nano bán dẫn với kim loại. Nhóm nghiên cứu cho rằng phương pháp dò này có thể được kết hợp với tia laser nữa để lấy đi các ống nano kim loại không mong muốn khi chúng lăn khỏi đường chế tạo, chỉ để lại các ống bán dẫn. Kỹ thuật này “không dán nhãn” có nghĩa là không đòi hỏi các ống nano phải được đánh dấu bằng thuốc nhuộm, khiến cho nó có tiềm năng thực tế đối với việc chế tạo.