Phương pháp này mang lại lợi ích lớn cho khả năng lưu trữ dữ liệu, với mức tiêu thụ điện năng tối thiểu, đồng thời tận dụng các cấu trúc dị thể đa ferroic để gia tăng hiệu suất. Điều này đặt ra nền tảng cho MRAM như một giải pháp thay thế tiềm năng cho RAM truyền thống, đặc biệt trong bối cảnh cần cải thiện hiệu quả năng lượng.

Các thiết bị MRAM thông thường thường phải sử dụng dòng điện lớn để ghi và chuyển đổi các vectơ từ hóa, dẫn đến hiện tượng làm nóng Joule và tiêu thụ năng lượng cao. Để khắc phục điều này, nhóm nghiên cứu đã phát triển một công nghệ mới bằng cách chèn một lớp vanadi siêu mỏng giữa các lớp sắt từ và áp điện, tạo ra một giao diện rõ ràng. Điều này không chỉ cải thiện tính ổn định của cấu hình mà còn gia tăng phản ứng từ hóa mạnh mẽ hơn khi áp dụng trường điện. Kết quả là khả năng kiểm soát đáng tin cậy được tính dị hướng từ trong các lớp từ trở Co₂FeSi.

Với những phát hiện này, các nhà nghiên cứu đã chứng minh rằng các trạng thái từ tính có thể được điều khiển một cách chủ động ngay cả khi trường điện bằng không, mở ra khả năng đạt được trạng thái nhị phân không bay hơi. Công nghệ này có tiềm năng được triển khai vào các sản phẩm MRAM thực tế, cho phép phát triển các thiết bị ME-MRAM (Bộ nhớ có khả năng ghi từ trở) tiết kiệm điện năng. Điều này có thể đáp ứng nhu cầu gia tăng về bộ nhớ bền bỉ và an toàn trong nhiều ứng dụng công nghệ hiện đại.